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FGHL40T65MQDT

FGHL40T65MQDT onsemi

fghl40t65mqdt-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.56 EUR
30+5.37 EUR
120+4.44 EUR
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Technische Details FGHL40T65MQDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 86 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns, Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT onsemi fghl40t65mqdt-d.pdf IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+5.38 EUR
120+4.44 EUR
510+4.11 EUR
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FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT ONSEMI 3672837.pdf Description: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.82 EUR
43+5.52 EUR
100+4.76 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
FGHL40T65MQDT
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IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+5.38 EUR
120+4.44 EUR
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FGHL40T65MQDT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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