FGHL50T65MQDT onsemi
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
IGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
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Technische Details FGHL50T65MQDT onsemi
Description: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 79 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns, Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Weitere Produktangebote FGHL50T65MQDT nach Preis ab 5.98 EUR bis 12.27 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FGHL50T65MQDT | Hersteller : onsemi |
Description: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 79 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 99 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 268 W |
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FGHL50T65MQDT | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGHL50T65MQDT | Hersteller : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube |
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