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FGHL50T65MQDT

FGHL50T65MQDT onsemi

fghl50t65mqdt-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.85 EUR
30+6.16 EUR
120+5.13 EUR
510+4.38 EUR
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Technische Details FGHL50T65MQDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 79 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns, Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGHL50T65MQDT FGHL50T65MQDT onsemi fghl50t65mqdt-d.pdf IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.96 EUR
10+8.48 EUR
120+6.24 EUR
510+5.55 EUR
1020+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDT FGHL50T65MQDT ONSEMI 3672838.pdf Description: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDT ONN fghl50t65mqdt-d.pdf
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGHL50T65MQDT fghl50t65mqdt-d.pdf
FGHL50T65MQDT
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IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+8.48 EUR
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1020+4.93 EUR
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FGHL50T65MQDT 3672838.pdf
FGHL50T65MQDT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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