FGHL50T65MQDTL4 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FGHL50T65MQDTL4 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 79 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns, Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Weitere Produktangebote FGHL50T65MQDTL4 nach Preis ab 3.19 EUR bis 8.38 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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FGHL50T65MQDTL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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FGHL50T65MQDTL4 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 79 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 99 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 268 W |
auf Bestellung 4330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGHL50T65MQDTL4 | Hersteller : onsemi |
IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGHL50T65MQDTL4 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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