FGHL50T65SQDT onsemi
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
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Technische Details FGHL50T65SQDT onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns, Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99.7 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FGHL50T65SQDT | onsemi |
IGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGHL50T65SQDT | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Power dissipation: 134W Gate charge: 99.7nC |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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FGHL50T65SQDT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 268 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FGHL50T65SQDT | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGHL50T65SQDT |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
IGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
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| FGHL50T65SQDT |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99.7nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 134W
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| FGHL50T65SQDT |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
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SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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| FGHL50T65SQDT |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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