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FGY100T65SCDT

FGY100T65SCDT onsemi

FGY100T65SCDT_D-2313368.pdf Hersteller: onsemi
IGBTs FS3TIGBT TO247 100A 650V
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Technische Details FGY100T65SCDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/216ns, Switching Energy: 5.4mJ (on), 3.8mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 157 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 750 W.

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FGY100T65SCDT FGY100T65SCDT Hersteller : onsemi fgy100t65scdt-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/216ns
Switching Energy: 5.4mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 157 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
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FGY100T65SCDT FGY100T65SCDT Hersteller : ON Semiconductor fgy100t65scdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGY100T65SCDT FGY100T65SCDT Hersteller : ON Semiconductor fgy100t65scdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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