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FGY120T65SPD-F085

FGY120T65SPD-F085 onsemi / Fairchild


fgy120t65spd-f085-d.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3
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Technische Details FGY120T65SPD-F085 onsemi / Fairchild

Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns, Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 162 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A, Power - Max: 882 W, Qualification: AEC-Q101.

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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 Hersteller : onsemi fgy120t65spd-f085-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns
Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 162 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A
Power - Max: 882 W
Qualification: AEC-Q101
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 Hersteller : ONSEMI 2859366.pdf Description: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FGY120T65SPD-F085 Hersteller : On Semiconductor/Fairchild fgy120t65spd-f085-d.pdf IGBT 650V 240A 882W TO-247
auf Bestellung 400 Stücke:
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 Hersteller : ON Semiconductor fgy120t65spd-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 Hersteller : ON Semiconductor fgy120t65spd-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 Hersteller : ON Semiconductor fgy120t65spd-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGY120T65SPD-F085 Hersteller : ONSEMI fgy120t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 378A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 441W
Gate charge: 162nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGY120T65SPD-F085 Hersteller : ONSEMI fgy120t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 378A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 441W
Gate charge: 162nC
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