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FGY140T120SWD

FGY140T120SWD onsemi


fgy140t120swd-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT FS 1200V 280A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 307.3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59.2ns/249.6ns
Switching Energy: 4.7mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 140A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 415.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 1150 W
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Technische Details FGY140T120SWD onsemi

Description: IGBT FS 1200V 280A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 307.3 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 140A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 59.2ns/249.6ns, Switching Energy: 4.7mJ (on), 2.3mJ (off), Test Condition: 600V, 140A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 415.4 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 280 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A, Power - Max: 1150 W.

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FGY140T120SWD FGY140T120SWD Hersteller : onsemi fgy140t120swd-d.pdf IGBTs 1200V 140A FS7 IGBT TP247
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FGY140T120SWD FGY140T120SWD Hersteller : ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Description: ONSEMI - FGY140T120SWD - IGBT, 280 A, 1.7 V, 1.153 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.153kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 280A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FGY140T120SWD Hersteller : ON Semiconductor fgy140t120swd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 280A 1153W
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FGY140T120SWD Hersteller : ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
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FGY140T120SWD Hersteller : ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
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