FGY40T120SMD ON Semiconductor
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Technische Details FGY40T120SMD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 882 W.
Weitere Produktangebote FGY40T120SMD nach Preis ab 11.12 EUR bis 20.75 EUR
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FGY40T120SMD | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 IGBTs FS2TIGBT TO247 40A 1200V |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGY40T120SMD | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 882 W |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGY40T120SMD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY40T120SMD - IGBT, 80 A, 1.8 V, 882 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 882W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGY40T120SMD Produktcode: 212048
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
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FGY40T120SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882000mW 3-Pin(3+Tab) Power TO-247 Tube |
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FGY40T120SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) Power TO-247 Tube |
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FGY40T120SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) Power TO-247 Tube |
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FGY40T120SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) Power TO-247 Tube |
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| FGY40T120SMD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 441W Case: TO247H03 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 450 Stücke |
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| FGY40T120SMD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 441W Case: TO247H03 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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