FGY75T120SWD ON Semiconductor
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Technische Details FGY75T120SWD ON Semiconductor
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 307 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns, Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 214 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 503 W.
Weitere Produktangebote FGY75T120SWD nach Preis ab 7.16 EUR bis 13.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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FGY75T120SWD | Hersteller : onsemi |
 Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 307 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 214 nC Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 503 W |
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FGY75T120SWD | Hersteller : onsemi |
IGBTs 1200V, 75A Field Stop VII Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGY75T120SWD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY75T120SWD - IGBT, 150 A, 1.68 V, 503 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 503W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop VII Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGY75T120SWD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 503W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGY75T120SWD | Hersteller : ON Semiconductor |
1200V, 75A Field Stop VII Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging |
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| FGY75T120SWD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 214nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FGY75T120SWD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 214nC Kind of package: tube |
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