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FGY75T95SQDT ON Semiconductor


fgy75t95sqdt-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor

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Technische Details FGY75T95SQDT ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 950V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 259 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.11V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28.8ns/117ns, Switching Energy: 8.8mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 137 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 434 W.

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FGY75T95SQDT FGY75T95SQDT Hersteller : onsemi fgy75t95sqdt-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 950V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 259 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.11V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28.8ns/117ns
Switching Energy: 8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 137 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 434 W
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FGY75T95SQDT FGY75T95SQDT Hersteller : onsemi FGY75T95SQDT-D.PDF IGBTs 950V 75A FS4 IGBT
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