FII24N17AH1S IXYS
Hersteller: IXYS
Description: IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
Packaging: Box
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 140 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.4 nF @ 25 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FII24N17AH1S IXYS
Description: IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5, Packaging: Box, Package / Case: i4-Pac™-5, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 140 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.4 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FII24N17AH1S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FII24N17AH1S | IXYS | IGBT Transistors 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FII24N17AH1S |
Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds
IGBT Transistors 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH