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FII30-06D

FII30-06D IXYS


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Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 30 Amps 600V
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Technische Details FII30-06D IXYS

Description: IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA, Power - Max: 100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: i4-Pac™-5, Packaging: Tube.

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FII30-06D Hersteller : IXYS Description: IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
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