FJB102TM
Produktcode: 171831
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FJB102TM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. |
auf Bestellung 16747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJB102TM | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. |
auf Bestellung 15715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJB102TM | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJB102TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJB102TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJB102TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJB102TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FJB102TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FJB102TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FJB102TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FJB102TM | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
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