FJB102TM
Produktcode: 171831
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FJB102TM | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK Mounting: SMD Type of transistor: NPN Collector current: 8A Power dissipation: 80W Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 200...20000 Polarisation: bipolar Case: D2PAK Kind of transistor: Darlington |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJB102TM | onsemi / Fairchild |
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. |
auf Bestellung 16747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJB102TM | onsemi |
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. |
auf Bestellung 15715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJB102TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJB102TM | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJB102TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FJB102TM | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FJB102TM |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of transistor: Darlington
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of transistor: Darlington
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 2.23 EUR |
| 60+ | 1.43 EUR |
| 76+ | 1.12 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| FJB102TM |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
auf Bestellung 16747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.45 EUR |
| 10+ | 1.67 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 800+ | 0.81 EUR |
| FJB102TM |
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
auf Bestellung 15715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 800+ | 0.87 EUR |
| 2400+ | 0.82 EUR |
| 4800+ | 0.81 EUR |
| FJB102TM |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.25 EUR |
| FJB102TM |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.37 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| FJB102TM |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FJB102TM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)