FJP13007H2TU ON Semiconductor
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Technische Details FJP13007H2TU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJP13007, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FJP13007H2TU nach Preis ab 1.19 EUR bis 3.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FJP13007H2TU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FJP13007H2TU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FJP13007H2TU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 5...60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FJP13007H2TU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 5...60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz |
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FJP13007H2TU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor |
auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJP13007H2TU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJP13007H2TU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJP13007 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJP13007H2TU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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