FJP13007H2TU ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 314+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
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Technische Details FJP13007H2TU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJP13007, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FJP13007H2TU nach Preis ab 1.33 EUR bis 4.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FJP13007H2TU | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJP13007H2TU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJP13007H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Collector current: 8A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 400V Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 5...60 Kind of package: tube Case: TO220AB Frequency: 4MHz |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJP13007H2TU | onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
auf Bestellung 1565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJP13007H2TU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FJP13007H2TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJP13007 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FJP13007H2TU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 314+ | 2.11 EUR |
| FJP13007H2TU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 314+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
| FJP13007H2TU |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Collector current: 8A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 5...60
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 4MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Collector current: 8A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 5...60
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 2.4 EUR |
| 44+ | 1.94 EUR |
| FJP13007H2TU |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.3 EUR |
| 50+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| FJP13007H2TU |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.65 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
| 2000+ | 1.49 EUR |
| 5000+ | 1.33 EUR |
| FJP13007H2TU |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJP13007
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJP13007
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)