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FJP3305H2TU

FJP3305H2TU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FJP3305H2TU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 4MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole.

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FJP3305H2TU FJP3305H2TU ON Semiconductor fjp3305-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FJP3305H2TU FJP3305H2TU onsemi / Fairchild FJP3305_D-2313307.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trans
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FJP3305H2TU FJP3305H2TU onsemi fjp3305-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
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Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trans
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Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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