Technische Details FM25640G RAMTRON
Фероелектрична пам'ять FRAM, енергонезалежна, Uживл, В = 0...5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбайт, Орг. пам. = 8К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.
Weitere Produktangebote FM25640G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FM25640-G | Cypress Semiconductor |
 Фероелектрична пам'ять FRAM, енергонезалежна, Uживл, В = 0...5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбайт, Орг. пам. = 8К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
verfügbar 8 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FM25640-G |
|
Hersteller: Cypress Semiconductor
Фероелектрична пам'ять FRAM, енергонезалежна, Uживл, В = 0...5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбайт, Орг. пам. = 8К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Фероелектрична пам'ять FRAM, енергонезалежна, Uживл, В = 0...5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбайт, Орг. пам. = 8К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 8 Stücke: