FMBS2383 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.8A SUPERSOT-6
Power - Max: 630 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1285+ | 0.36 EUR |
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Technische Details FMBS2383 onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.8A SUPERSOT-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 630 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| FMBS2383 | ON Semiconductor / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Xsistr |
auf Bestellung 1696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FMBS2383 |
|
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Xsistr
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Xsistr
auf Bestellung 1696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH