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FP10R12W1T4PBPSA1

FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies

Infineon_FP10R12W1T4P_DS_v03_00_CN-3162865.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules EASY STANDARD
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Technische Details FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V.

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FP10R12W1T4PBPSA1 FP10R12W1T4PBPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FP10R12W1T4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfbf693b47207 Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V
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