FP10R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FP10R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP10R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FP10R12W1T7B11BOMA1 nach Preis ab 67.48 EUR bis 67.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FP10R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 1200V 10A 20MW EASYPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 4.5 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.89 nF @ 25 V |
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FP10R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP10R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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FP10R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 10A 23-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FP10R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Diode/transistor; three-phase diode bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 10A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-EASY1B-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FP10R12W1T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Diode/transistor; three-phase diode bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 10A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-EASY1B-2 |
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