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FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies


infineon-fp25r12w2t4p-ds-v03_00-cn.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material
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Technische Details FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 50A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FP25R12W2T4PBPSA1 nach Preis ab 65.19 EUR bis 71.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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Packaging: Bulk
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