FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP25R12W2T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.85 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 25A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 25A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FP25R12W2T4PBPSA1 nach Preis ab 92.44 EUR bis 92.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FP25R12W2T4PBPSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - FP25R12W2T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.85 V, 150 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 25A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 25A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| FP25R12W2T4PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: FP25R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk |
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FP25R12W2T4PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
EasyPIM™ module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material |
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FP25R12W2T4PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
EasyPIM™ module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material |
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FP25R12W2T4PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V |
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