FP75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FP75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP75R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 355, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: EconoPIM 3, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 105, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FP75R12KE3BOSA1 nach Preis ab 252.29 EUR bis 361.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FP75R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP75R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 105A 355W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 355 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V |
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FP75R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP75R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP75R12KE3BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP75R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 355 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: - Produktpalette: EconoPIM 3 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 105 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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FP75R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
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