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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.60 EUR |
| 10+ | 9.08 EUR |
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| 100+ | 7.57 EUR |
| 250+ | 7.13 EUR |
| 450+ | 6.67 EUR |
| 900+ | 5.98 EUR |
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Technische Details FQA38N30 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQA38N30
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| FQA38N30 | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQA38N30 | Hersteller : FSC |
09+ DIP16 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQA38N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQA38N30 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA38N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA38N30 Produktcode: 76066
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FQA38N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQA38N30 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |