Weitere Produktangebote FQA38N30 nach Preis ab 5.83 EUR bis 11.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FQA38N30 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 300V N-Channel QFET |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQA38N30 | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQA38N30 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA38N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQA38N30 | Hersteller : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQA38N30 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |