FQA8N100C

FQA8N100C onsemi / Fairchild


fqa8n100c-d.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
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Technische Details FQA8N100C onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQA8N100C FQA8N100C Hersteller : onsemi fqa8n100c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
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FQA8N100C FQA8N100C Hersteller : ON Semiconductor fqa8n100c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FQA8N100C FQA8N100C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQA8N100C Hersteller : Fairchild fqa8n100c-d.pdf N-MOSFET 8A 1000V 225W 1.45Ω FQA8N100C TFQA8n100c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 10
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FQA8N100C Hersteller : ONSEMI fqa8n100c-d.pdf FQA8N100C THT N channel transistors
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10+7.15 EUR
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FQA8N100C FQA8N100C Hersteller : ON Semiconductor fqa8n100c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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