auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 11.78 EUR |
| 10+ | 9.88 EUR |
| 25+ | 9.33 EUR |
| 100+ | 8.01 EUR |
| 250+ | 7.54 EUR |
| 360+ | 7.1 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FQAF11N90C onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQAF11N90C
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| FQAF11N90C | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PFDrain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 120 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
 |
FQAF11N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
FQAF11N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
FQAF11N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
FQAF11N90C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |