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FQAF11N90C

FQAF11N90C onsemi

fqaf11n90c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
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Technische Details FQAF11N90C onsemi

Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQAF11N90C FQAF11N90C Hersteller : onsemi fqaf11n90c-d.pdf MOSFETs N-CH/900V/7A/A.QFET
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FQAF11N90C Hersteller : ONSEMI 2907412.pdf Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQAF11N90C FQAF11N90C Hersteller : ON Semiconductor fqaf11n90c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FQAF11N90C FQAF11N90C Hersteller : ON Semiconductor fqaf11n90c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FQAF11N90C FQAF11N90C Hersteller : ON Semiconductor fqaf11n90c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FQAF11N90C FQAF11N90C Hersteller : ONSEMI FQAF11N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 120W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
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