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FQB12P20TM

FQB12P20TM ON Semiconductor

fqb12p20-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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Technische Details FQB12P20TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FQB, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
36+2.03 EUR
46+1.56 EUR
49+1.49 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 430 Stücke:
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Anzahl Preis
32+2.27 EUR
36+2.03 EUR
46+1.56 EUR
49+1.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 32
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+3.70 EUR
60+2.38 EUR
61+2.26 EUR
100+1.54 EUR
250+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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40+3.70 EUR
60+2.38 EUR
61+2.26 EUR
100+1.54 EUR
250+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.78 EUR
10+2.70 EUR
100+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : onsemi / Fairchild fqb12p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 18844 Stücke:
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1+3.89 EUR
10+2.80 EUR
100+2.08 EUR
500+1.57 EUR
800+1.43 EUR
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1837 Stücke:
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQB12P20TM Hersteller : Fairchild fqb12p20-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB12P20TM FQB12P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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