FQB12P20TM onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.41 EUR |
| 1600+ | 1.3 EUR |
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Technische Details FQB12P20TM onsemi
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FQB, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FQB12P20TM nach Preis ab 1.42 EUR bis 4.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.27A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
auf Bestellung 24695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 44682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
auf Bestellung 17872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FQB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FQB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |