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FQB12P20TM

FQB12P20TM onsemi

fqb12p20-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 41600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.73 EUR
1600+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Technische Details FQB12P20TM onsemi

Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FQB, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FQB12P20TM nach Preis ab 1.69 EUR bis 5.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB12P20TM FQB12P20TM Fairchild info-tfqb12p20tm.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI FQB12P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
30+2.88 EUR
34+2.53 EUR
50+1.86 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.93 EUR
60+2.9 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FQB12P20TM FQB12P20TM ON Semiconductor fqb12p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.4 EUR
250+3.26 EUR
800+2.57 EUR
1600+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi / Fairchild FQB12P20-D.PDF MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 24695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+3.17 EUR
100+2.24 EUR
500+1.96 EUR
800+1.69 EUR
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FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 17872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+1.76 EUR
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FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 41613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+3.52 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQB12P20TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB12P20TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB12P20TM
Hersteller: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FQB12P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+3.59 EUR
30+2.88 EUR
34+2.53 EUR
50+1.86 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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FQB12P20TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.93 EUR
60+2.9 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FQB12P20TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+4.4 EUR
250+3.26 EUR
800+2.57 EUR
1600+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FQB12P20TM FQB12P20-D.PDF
FQB12P20TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 24695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.41 EUR
10+3.17 EUR
100+2.24 EUR
500+1.96 EUR
800+1.69 EUR
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FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 17872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+1.76 EUR
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FQB12P20TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 41613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.45 EUR
10+3.52 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FQB12P20TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM ONSM-S-A0013296891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB12P20TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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