FQB12P20TM ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FQB12P20TM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FQB, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FQB12P20TM nach Preis ab 1.07 EUR bis 4.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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FQB12P20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
auf Bestellung 24695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FQB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FQB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQB12P20TM | Hersteller : Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| FQB12P20TM | Hersteller : ONSEMI |
FQB12P20TM SMD P channel transistors |
auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQB12P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |