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Technische Details FQB1P50TM onsemi / Fairchild
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -0.95A; 63W; D2PAK, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: QFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -500V, Drain current: -0.95A, Power dissipation: 63W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 10.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Weitere Produktangebote FQB1P50TM nach Preis ab 2.69 EUR bis 5.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FQB1P50TM | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK |
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FQB1P50TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -0.95A; 63W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -0.95A Power dissipation: 63W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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FQB1P50TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK |
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