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FQB22P10TM

FQB22P10TM onsemi

fqb22p10-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.7 EUR
1600+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Technische Details FQB22P10TM onsemi

Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.75W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
500+2.31 EUR
1000+1.93 EUR
5000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI FQB22P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.56 EUR
31+2.81 EUR
35+2.46 EUR
41+2.07 EUR
50+1.82 EUR
100+1.62 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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FQB22P10TM FQB22P10TM Fairchild info-tfqb22p10tm.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 125mOhm; 22A; 125W; -55°C ~ 175°C; FQB22P10TM TFQB22p10tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi / Fairchild FQB22P10-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 21108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.19 EUR
100+2.2 EUR
800+1.67 EUR
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FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi fqb22p10-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 20197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
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FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
62+3.76 EUR
100+2.55 EUR
500+2.31 EUR
1000+1.93 EUR
5000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi fqb22p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 6316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FQB22P10TM ON Semiconductor fqb22p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.25 EUR
1600+1.12 EUR
2400+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB22P10TM ON Semiconductor fqb22p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQB22P10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
500+2.31 EUR
1000+1.93 EUR
5000+1.89 EUR
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FQB22P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+3.56 EUR
31+2.81 EUR
35+2.46 EUR
41+2.07 EUR
50+1.82 EUR
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FQB22P10TM
Hersteller: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 125mOhm; 22A; 125W; -55°C ~ 175°C; FQB22P10TM TFQB22p10tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 21108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.69 EUR
10+3.19 EUR
100+2.2 EUR
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 20197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.28 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
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FQB22P10TM ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB22P10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.3 EUR
62+3.76 EUR
100+2.55 EUR
500+2.31 EUR
1000+1.93 EUR
5000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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FQB22P10TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 6316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.38 EUR
10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.25 EUR
1600+1.12 EUR
2400+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB22P10TM fqb22p10-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH