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FQB27P06TM

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Produktcode: 165405
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQB27P06TM FQB27P06TM ON Semiconductor fqb27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB27P06TM FQB27P06TM ON Semiconductor fqb27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi fqb27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.73 EUR
1600+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB27P06TM FQB27P06TM ONSEMI 2304333.pdf Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQB27P06TM FQB27P06TM ONSEMI FQB27P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
30+2.88 EUR
34+2.55 EUR
40+2.17 EUR
50+1.9 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi / Fairchild FQB27P06-D.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 5839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.64 EUR
100+2.24 EUR
500+2.2 EUR
800+1.61 EUR
2400+1.55 EUR
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FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi fqb27p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
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FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi fqb27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FQB27P06TM FQB27P06TM ONSEMI 2304333.pdf Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
69+3.37 EUR
76+2.84 EUR
100+2.59 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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FQB27P06TM FQB27P06TM ON Semiconductor fqb27p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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FQB27P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB27P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB27P06TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FQB27P06TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
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100+2.59 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQB27P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+3.59 EUR
30+2.88 EUR
34+2.55 EUR
40+2.17 EUR
50+1.9 EUR
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FQB27P06TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 5839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.16 EUR
10+2.64 EUR
100+2.24 EUR
500+2.2 EUR
800+1.61 EUR
2400+1.55 EUR
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FQB27P06TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.34 EUR
10+3.47 EUR
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FQB27P06TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FQB27P06TM 2304333.pdf
FQB27P06TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.52 EUR
69+3.37 EUR
76+2.84 EUR
100+2.59 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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FQB27P06TM fqb27p06-d.pdf
FQB27P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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