FQB33N10TM ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 127
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Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Technische Details FQB33N10TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FQB33N10TM nach Preis ab 2.4 EUR bis 2.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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FQB33N10TM | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel QFET |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQB33N10TM | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQB33N10TM TFQB33n10tm Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQB33N10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQB33N10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQB33N10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQB33N10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQB33N10TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQB33N10TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 51nC Power dissipation: 127W Technology: QFET® On-state resistance: 52mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |