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FQB44N10TM

FQB44N10-D.pdf
Produktcode: 172567
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQB44N10TM FQB44N10TM Hersteller : onsemi FQB44N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.65 EUR
1600+1.54 EUR
2400+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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FQB44N10TM FQB44N10TM Hersteller : onsemi FQB44N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 20262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.77 EUR
10+3.1 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FQB44N10TM FQB44N10TM Hersteller : onsemi FQB44N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.12 EUR
10+3.13 EUR
100+2.24 EUR
500+1.71 EUR
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FQB44N10TM FQB44N10TM Hersteller : onsemi / Fairchild FQB44N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
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FQB44N10TM Hersteller : ONSEMI FQB44N10-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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