FQB5N60CTM-WS onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.97 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
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Technische Details FQB5N60CTM-WS onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FQB5N60CTM-WS | onsemi |
MOSFETs 600V,4.5A NCH MOSFET |
auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQB5N60CTM-WS |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V,4.5A NCH MOSFET
MOSFETs 600V,4.5A NCH MOSFET
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 800+ | 1.57 EUR |
| 2400+ | 1.54 EUR |
| 4800+ | 1.38 EUR |