Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FQD11P06TM
FQD11P06TM

FQD11P06TM ON Semiconductor

fqu11p06-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FQD11P06TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FQD11P06TM nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.69 EUR
5000+0.67 EUR
7500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.79 EUR
5000+0.74 EUR
7500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
60+1.21 EUR
67+1.08 EUR
87+0.83 EUR
100+0.75 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
60+1.21 EUR
67+1.08 EUR
87+0.83 EUR
100+0.75 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : onsemi / Fairchild 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
auf Bestellung 32231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+2.2 EUR
68+2.1 EUR
100+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 49379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.22 EUR
12+1.53 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
66+2.22 EUR
67+2.12 EUR
68+2.03 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM
Produktcode: 161558
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

fqu11p06-d.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : ON Semiconductor fqu11p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM Hersteller : ON Semiconductor fqu11p06jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH