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FQD11P06TM

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Produktcode: 161558
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
570+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.7 EUR
115+1.54 EUR
167+1.02 EUR
250+1 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.7 EUR
250+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 10118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
142+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ON Semiconductor fqu11p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.88 EUR
105+1.64 EUR
115+1.44 EUR
167+0.95 EUR
250+0.9 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
auf Bestellung 13250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.28 EUR
10+2.07 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 131065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.3 EUR
50+1.73 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 10118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
96+2.44 EUR
142+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI FQD11P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM TECH PUBLIC fqu11p06-d.pdf P-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω TPFQD11P06TM TFQD11p06tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
570+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+1.7 EUR
115+1.54 EUR
167+1.02 EUR
250+1 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+1.7 EUR
250+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 10118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
142+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06d.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+2.88 EUR
105+1.64 EUR
115+1.44 EUR
167+0.95 EUR
250+0.9 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
auf Bestellung 13250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.28 EUR
10+2.07 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 131065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.62 EUR
10+2.3 EUR
50+1.73 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 10118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.12 EUR
96+2.44 EUR
142+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
Hersteller: TECH PUBLIC
P-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω TPFQD11P06TM TFQD11p06tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH