FQD11P06TM
Produktcode: 161558
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FQD11P06TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK Gate charge: 17nC On-state resistance: 0.185Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 38W Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.95A |
auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V |
auf Bestellung 31961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : onsemi |
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V |
auf Bestellung 17768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
auf Bestellung 66519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD11P06TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQD11P06TM | Hersteller : On Semiconductor |
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |