FQD12N20LTM ON Semiconductor
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| 2500+ | 0.42 EUR |
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Technische Details FQD12N20LTM ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQD12N20LTM nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.98 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FQD12N20LTM | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
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FQD12N20LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD12N20LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD12N20LTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
auf Bestellung 23958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD12N20LTM | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level |
auf Bestellung 15604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD12N20LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD12N20LTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 18915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD12N20LTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 18915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQD12N20LTM | Hersteller : ONSEMI |
FQD12N20LTM SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1368 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FQD12N20LTM | Hersteller : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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FQD12N20LTM Produktcode: 126115
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQD12N20LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FQD12N20LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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