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FQD12N20LTM

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Produktcode: 126115
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 42500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.23 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM ON-Semiconductor info-tfqd12n20ltm.pdf N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.74 EUR
63+1.37 EUR
72+1.2 EUR
99+0.87 EUR
113+0.76 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi fqd12n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 17184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.61 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 43207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 11958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.64 EUR
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FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 42500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD12N20LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
145+1.23 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
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5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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FQD12N20LTM
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FQD12N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1184 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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63+1.37 EUR
72+1.2 EUR
99+0.87 EUR
113+0.76 EUR
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1000+0.56 EUR
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FQD12N20LTM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 17184 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.64 EUR
10+1.61 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD12N20LTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 43207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FQD12N20LTM ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD12N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 11958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH