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FQD12N20LTM

FQD12N20LTM ON Semiconductor

fqd12n20l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FQD12N20LTM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.

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FQD12N20LTM FQD12N20LTM Hersteller : onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM Hersteller : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.32Ω
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 55W
Drain-source voltage: 200V
Technology: QFET®
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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69+1.04 EUR
84+0.86 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.32Ω
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 55W
Drain-source voltage: 200V
Technology: QFET®
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM Hersteller : ON Semiconductor fqd12n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM Hersteller : onsemi / Fairchild fqd12n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM Hersteller : onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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FQD12N20LTM Hersteller : ON-Semicoductor fqd12n20l-d.pdf N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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FQD12N20LTM FQD12N20LTM Hersteller : ON Semiconductor 3661866439160269fqd12n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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