FQD13N06LTM onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.52 EUR |
| 5000+ | 0.49 EUR |
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Technische Details FQD13N06LTM onsemi
Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 28W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 28W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm.
Weitere Produktangebote FQD13N06LTM nach Preis ab 0.49 EUR bis 3.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FQD13N06LTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD13N06LTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD13N06LTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD13N06LTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD13N06LTM | onsemi |
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level |
auf Bestellung 12752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD13N06LTM | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 18973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD13N06LTM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 28W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 2239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD13N06LTM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 28W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 28W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 2239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD13N06LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FQD13N06LTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FQD13N06LTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FQD13N06LTM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.54 EUR |
| FQD13N06LTM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 310+ | 0.57 EUR |
| 2500+ | 0.49 EUR |
| FQD13N06LTM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.71 EUR |
| FQD13N06LTM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 190+ | 0.94 EUR |
| 201+ | 0.87 EUR |
| 263+ | 0.65 EUR |
| FQD13N06LTM |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
auf Bestellung 12752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| FQD13N06LTM |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 18973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.2 EUR |
| 16+ | 1.38 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| FQD13N06LTM |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 81+ | 3.09 EUR |
| 169+ | 1.38 EUR |
| 194+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| FQD13N06LTM |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.09 EUR |
| 169+ | 1.38 EUR |
| 194+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| FQD13N06LTM |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FQD13N06LTM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FQD13N06LTM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)