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FQD13N06LTM

FQD13N06LTM ON Semiconductor

fqu13n06l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FQD13N06LTM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : onsemi FQU13N06L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : onsemi / Fairchild 859D1F19AD2F6E71990FD2B53C08470C7E75484BF43A699D839C0B00197FE58A.pdf MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
104+0.69 EUR
121+0.59 EUR
150+0.48 EUR
250+0.41 EUR
500+0.4 EUR
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : UMW 61dcfc25eccdb9556f996a538bcef011.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : onsemi FQU13N06L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : ONSEMI FQU13N06L-D.PDF 61dcfc25eccdb9556f996a538bcef011.pdf Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM Hersteller : UMW 61dcfc25eccdb9556f996a538bcef011.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
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