FQD16N25CTM ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Technology: QFET®
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details FQD16N25CTM ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FQD16N25CTM nach Preis ab 1.06 EUR bis 2.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FQD16N25CTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK Technology: QFET® Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Gate charge: 53.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.1A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQD16N25CTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQD16N25CTM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET HIGH VOLTAGE |
auf Bestellung 16353 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FQD16N25CTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD16N25CTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD16N25CTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD16N25CTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD16N25CTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
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