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FQD17P06TM

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Produktcode: 144540
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQD17P06TM FQD17P06TM ON Semiconductor fqu17p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi FQU17P06-D.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.86 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD17P06TM FQD17P06TM ON Semiconductor fqu17p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
615+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 615 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM FQD17P06TM ON Semiconductor fqu17p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.14 EUR
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI FQD17P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
53+1.62 EUR
61+1.42 EUR
83+1.02 EUR
100+0.89 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi FQU17P06-D.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 24142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.5 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi FQU17P06-D.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 12267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
50+1.5 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 6388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
104+2.25 EUR
150+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 6388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
104+2.25 EUR
150+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQD17P06TM FQD17P06TM ON Semiconductor fqu17p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM FQD17P06TM ON Semiconductor fqu17p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM FQD17P06TM ON Semiconductor fqu17p06d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FQD17P06TM fqu17p06d.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM FQU17P06-D.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.86 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM fqu17p06d.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
615+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 615 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM fqu17p06d.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.14 EUR
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FQD17P06TM FQD17P06.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+2.06 EUR
53+1.62 EUR
61+1.42 EUR
83+1.02 EUR
100+0.89 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FQD17P06TM FQU17P06-D.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 24142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+1.5 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD17P06TM FQU17P06-D.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 12267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.17 EUR
11+2 EUR
50+1.5 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD17P06TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 6388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.27 EUR
104+2.25 EUR
150+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM ONSM-S-A0003587829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD17P06TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 6388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
104+2.25 EUR
150+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM fqu17p06d.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM fqu17p06d.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM fqu17p06d.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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