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FQD19N10LTM

FQD19N10L-D.PDF
Produktcode: 117287
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
55+1.55 EUR
63+1.37 EUR
83+1.02 EUR
100+0.9 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 30160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 8834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L-D.PDF Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L-D.PDF Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.79 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD19N10LTM fqd19n10l-d.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
644+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
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FQD19N10LTM fqd19n10l-d.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
644+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
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FQD19N10LTM fqd19n10l-d.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
644+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10L.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+2.06 EUR
55+1.55 EUR
63+1.37 EUR
83+1.02 EUR
100+0.9 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 30160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 8834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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