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FQD19N10LTM

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 644
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 644
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 644
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM UMW 21f17932fe714882f3867ab5a4570182.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
57+1.27 EUR
65+1.11 EUR
90+0.8 EUR
103+0.7 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF 21f17932fe714882f3867ab5a4570182.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 30160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 10321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
11+1.63 EUR
100+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L-D.PDF 21f17932fe714882f3867ab5a4570182.pdf Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L-D.PDF 21f17932fe714882f3867ab5a4570182.pdf Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.65 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
644+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 644
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FQD19N10LTM fqd19n10l-d.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
644+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 644
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FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
644+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 644
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FQD19N10LTM 21f17932fe714882f3867ab5a4570182.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
57+1.27 EUR
65+1.11 EUR
90+0.8 EUR
103+0.7 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF 21f17932fe714882f3867ab5a4570182.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 30160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.57 EUR
10+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 10321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.57 EUR
11+1.63 EUR
100+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF 21f17932fe714882f3867ab5a4570182.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF 21f17932fe714882f3867ab5a4570182.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH