Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > FQD19N10LTM

FQD19N10LTM

FQD19N10L-D.PDF
Produktcode: 117287
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FQD19N10LTM nach Preis ab 0.69 EUR bis 4.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.8 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ON Semiconductor fqd19n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 36084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 29975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.15 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1 EUR
2500+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L-D.PDF Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
126+1.86 EUR
141+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L-D.PDF Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.2 EUR
126+1.86 EUR
141+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM fqd19n10l-d.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.76 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM fqd19n10l-d.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.76 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.8 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM fqd19n10l-d.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
644+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM fqd19n10l-d.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
644+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM fqd19n10l-d.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
644+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 36084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 29975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.45 EUR
10+2.15 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1 EUR
2500+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.2 EUR
126+1.86 EUR
141+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.2 EUR
126+1.86 EUR
141+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM FQD19N10L.pdf
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH