FQD19N10LTM ON Semiconductor
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Technische Details FQD19N10LTM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FQD19N10LTM nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQD19N10LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD19N10LTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD19N10LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD19N10LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD19N10LTM | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD19N10LTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.11Ω Kind of channel: enhancement Power dissipation: 50W Drain current: 9.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Technology: QFET® Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 2084 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD19N10LTM | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level |
auf Bestellung 30192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD19N10LTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
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FQD19N10LTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FQD19N10LTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 50W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FQD19N10LTM Produktcode: 117287
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQD19N10LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FQD19N10LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FQD19N10LTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD19N10LTM | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
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