FQD1N60CTM ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 223+ | 0.79 EUR |
| 274+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 2500+ | 0.38 EUR |
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Technische Details FQD1N60CTM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQD1N60CTM nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FQD1N60CTM | Fairchild |
 N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctmAnzahl je Verpackung: 20 Stücke |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQD1N60CTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD1N60CTM | onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD1N60CTM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 3410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQD1N60CTM |
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Hersteller: Fairchild
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 0.89 EUR |
| FQD1N60CTM |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 189+ | 0.93 EUR |
| 208+ | 0.82 EUR |
| 256+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 2500+ | 0.37 EUR |
| FQD1N60CTM |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.55 EUR |
| 10+ | 1.38 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| FQD1N60CTM |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 126+ | 1.99 EUR |
| 147+ | 1.58 EUR |
| 210+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |