FQD2N90TM

FQD2N90TM ON Semiconductor


fqu2n90tu_am002-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FQD2N90TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : ON Semiconductor fqu2n90tu_am002-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : onsemi fqu2n90tu_am002-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : onsemi fqu2n90tu_am002-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : onsemi / Fairchild fqu2n90tu_am002-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
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10+1.90 EUR
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : ONSEMI FQU2N90TU_AM002-D.PDF Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : ONSEMI FQU2N90TU_AM002-D.PDF Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : ON Semiconductor fqd2n90.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : ON Semiconductor fqu2n90tu_am002-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : ON Semiconductor fqu2n90tu_am002-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : ONSEMI fqu2n90tu_am002-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FQD2N90TM FQD2N90TM Hersteller : ONSEMI fqu2n90tu_am002-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
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