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FQD2N90TM

FQD2N90TM ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FQD2N90TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FQD2N90TM FQD2N90TM onsemi fqu2n90tu_am002-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
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84+2.13 EUR
93+1.89 EUR
112+1.54 EUR
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71+2.53 EUR
89+1.99 EUR
94+1.83 EUR
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94+1.76 EUR
118+1.36 EUR
500+0.95 EUR
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84+2.06 EUR
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FQD2N90TM FQD2N90TM ONSEMI FQU2N90TU_AM002-D.PDF Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
auf Bestellung 3605 Stücke:
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100+2.98 EUR
116+1.86 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQD2N90TM FQD2N90TM onsemi fqu2n90tu_am002-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 6436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
50+2.05 EUR
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500+1.46 EUR
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10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.3 EUR
5000+1.23 EUR
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FQD2N90TM FQD2N90TM ONSEMI FQU2N90TU_AM002-D.PDF Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N90TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FQD2N90TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
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FQD2N90TM
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Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N90TM
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FQD2N90TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2240 Stücke:
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1000+1.4 EUR
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FQD2N90TM
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auf Bestellung 2200 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
84+2.13 EUR
93+1.89 EUR
112+1.54 EUR
250+1.49 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
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Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2279 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
71+2.53 EUR
89+1.99 EUR
94+1.83 EUR
118+1.43 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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FQD2N90TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.53 EUR
89+1.95 EUR
94+1.76 EUR
118+1.36 EUR
500+0.95 EUR
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FQD2N90TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
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63+2.86 EUR
84+2.06 EUR
93+1.78 EUR
112+1.43 EUR
250+1.36 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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FQD2N90TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
auf Bestellung 3605 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
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500+1.77 EUR
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FQD2N90TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
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FQD2N90TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 900V N-Channel QFET
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1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
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500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
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5000+1.23 EUR
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FQD2N90TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
auf Bestellung 3605 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
50+5 EUR
79+2.98 EUR
116+1.86 EUR
500+1.77 EUR
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