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FQD5P20TM

FQD5P20TM ON Semiconductor

fqu5p20-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.56 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details FQD5P20TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 45W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.

Weitere Produktangebote FQD5P20TM nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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FQD5P20TM FQD5P20TM onsemi fqu5p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.7 EUR
5000+0.64 EUR
25000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.8 EUR
221+0.77 EUR
257+0.65 EUR
263+0.63 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD5P20TM FQD5P20TM ON Semiconductor fqu5p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.95 EUR
219+0.76 EUR
221+0.73 EUR
257+0.61 EUR
263+0.57 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI FQD5P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.02 EUR
117+0.73 EUR
135+0.63 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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FQD5P20TM FQD5P20TM onsemi fqu5p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 23231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD5P20TM FQD5P20TM onsemi fqu5p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 17399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI 2303866.pdf Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 3888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
159+1.46 EUR
228+0.94 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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FQD5P20TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.56 EUR
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FQD5P20TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.65 EUR
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FQD5P20TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.7 EUR
5000+0.64 EUR
25000+0.6 EUR
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Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+0.8 EUR
221+0.77 EUR
257+0.65 EUR
263+0.63 EUR
500+0.54 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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FQD5P20TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
182+0.95 EUR
219+0.76 EUR
221+0.73 EUR
257+0.61 EUR
263+0.57 EUR
500+0.48 EUR
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FQD5P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+1.02 EUR
117+0.73 EUR
135+0.63 EUR
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FQD5P20TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 23231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.62 EUR
10+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD5P20TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 17399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM 2303866.pdf
FQD5P20TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 3888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+2.68 EUR
159+1.46 EUR
228+0.94 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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