FQD5P20TM ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.46 EUR |
| 5000+ | 0.44 EUR |
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Technische Details FQD5P20TM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 45W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.
Weitere Produktangebote FQD5P20TM nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FQD5P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD5P20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD5P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD5P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD5P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.34A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD5P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD5P20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD5P20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
auf Bestellung 18903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD5P20TM | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
auf Bestellung 23231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD5P20TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 45W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
auf Bestellung 3888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |