Produkte > ONSEMI > FQD5P20TM
FQD5P20TM

FQD5P20TM onsemi


fqu5p20-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FQD5P20TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FQD5P20TM nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQD5P20TM FQD5P20TM Hersteller : onsemi / Fairchild fqu5p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 45837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.95 EUR
10+0.94 EUR
25+0.92 EUR
100+0.76 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQD5P20TM Hersteller : onsemi fqu5p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 5628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+0.99 EUR
100+0.78 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQD5P20TM Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
87+0.83 EUR
109+0.66 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQD5P20TM Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
87+0.83 EUR
109+0.66 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQD5P20TM Hersteller : ONSEMI fqu5p20-d.pdf Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQD5P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqu5p20jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQD5P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqu5p20jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQD5P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqu5p20jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH