FQD6N40CTM onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.84 EUR |
| 5000+ | 0.81 EUR |
| 7500+ | 0.78 EUR |
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Technische Details FQD6N40CTM onsemi
Description: ONSEMI - FQD6N40CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.83 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FQD6N40CTM nach Preis ab 0.82 EUR bis 1.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FQD6N40CTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.7A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQD6N40CTM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.7A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD6N40CTM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 400V N-Channel Advance QFET |
auf Bestellung 12688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD6N40CTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD6N40CTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD6N40CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.83 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD6N40CTM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQD6N40CTM | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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