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FQD6N40CTM

FQD6N40CTM onsemi

fqd6n40c-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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5000+0.77 EUR
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Technische Details FQD6N40CTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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FQD6N40CTM FQD6N40CTM onsemi fqd6n40c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
auf Bestellung 9941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.34 EUR
16+1.11 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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FQD6N40CTM FQD6N40CTM ON-Semiconductor info-tfqd6n40ctm.pdf N-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI FQD6N40C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
59+1.22 EUR
68+1.06 EUR
100+0.83 EUR
250+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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FQD6N40CTM FQD6N40CTM onsemi fqd6n40c-d.pdf MOSFETs 400V N-Channel Advance QFET
auf Bestellung 3731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.15 EUR
10+1.87 EUR
100+1.28 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.87 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
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Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
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N-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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Anzahl Preis
50+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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MOSFETs 400V N-Channel Advance QFET
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