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FQD7N20LTM

FQD7N20LTM onsemi

FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details FQD7N20LTM onsemi

Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote FQD7N20LTM nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQD7N20LTM FQD7N20LTM Hersteller : onsemi / Fairchild FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
auf Bestellung 2604 Stücke:
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3+1.17 EUR
10+0.90 EUR
100+0.72 EUR
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500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FQD7N20LTM FQD7N20LTM Hersteller : onsemi FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 3663 Stücke:
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Anzahl Preis
12+1.58 EUR
17+1.07 EUR
100+0.74 EUR
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1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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FQD7N20LTM FQD7N20LTM Hersteller : ONSEMI 2907425.pdf Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD7N20LTM FQD7N20LTM Hersteller : ONSEMI 2907425.pdf Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 697 Stücke:
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FQD7N20LTM FQD7N20LTM Hersteller : ON Semiconductor fqd7n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD7N20LTM FQD7N20LTM Hersteller : ON Semiconductor 3671375337975692fqd7n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD7N20LTM Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQD7N20LTM SMD N channel transistors
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