FQD7P20TM
Produktcode: 149423
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1067500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
auf Bestellung 31452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD7P20TM | onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
auf Bestellung 14750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm |
auf Bestellung 10415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm |
auf Bestellung 10415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FQD7P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Case: DPAK Polarisation: unipolar On-state resistance: 690mΩ Power dissipation: 55W Technology: QFET® Kind of channel: enhancement Gate charge: 25nC Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FQD7P20TM | ONS/FAI |
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQD7P20TM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.87 EUR |
| FQD7P20TM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.87 EUR |
| FQD7P20TM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.88 EUR |
| FQD7P20TM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.88 EUR |
| FQD7P20TM |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.98 EUR |
| 5000+ | 0.9 EUR |
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1067500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 493+ | 1.36 EUR |
| 547+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| 10000+ | 0.94 EUR |
| 100000+ | 0.79 EUR |
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 2.24 EUR |
| 250+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 74+ | 2.42 EUR |
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 74+ | 2.42 EUR |
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 31452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 2.23 EUR |
| 50+ | 1.68 EUR |
| 100+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 14750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.86 EUR |
| 10+ | 2.4 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| 2500+ | 1.02 EUR |
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
auf Bestellung 10415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 4.93 EUR |
| 107+ | 2.18 EUR |
| 127+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.42 EUR |
| 5000+ | 1.14 EUR |
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
auf Bestellung 10415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.93 EUR |
| 107+ | 2.18 EUR |
| 127+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.42 EUR |
| 5000+ | 1.14 EUR |
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 690mΩ
Power dissipation: 55W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 690mΩ
Power dissipation: 55W
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FQD7P20TM |
![]() |
Hersteller: ONS/FAI
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 2.08 EUR |




