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FQD7P20TM

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Produktcode: 149423
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FQD7P20TM FQD7P20TM onsemi fqd7p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.72 EUR
5000+0.67 EUR
7500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI FQD7P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.7 EUR
72+1.01 EUR
94+0.77 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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FQD7P20TM FQD7P20TM onsemi / Fairchild FQD7P20-D.PDF MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 3953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.29 EUR
100+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P20TM FQD7P20TM onsemi fqd7p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 15593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQD7P20TM FQD7P20TM onsemi fqd7p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 6536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.72 EUR
100+1.15 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI ONSM-S-A0003585248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
auf Bestellung 3828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI ONSM-S-A0003585248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
auf Bestellung 3828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQD7P20TM ONS/FAI fqd7p20-d.pdf MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FQD7P20TM fqd7p20-d.pdf
FQD7P20TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.72 EUR
5000+0.67 EUR
7500+0.65 EUR
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FQD7P20TM FQD7P20.pdf
FQD7P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
43+1.7 EUR
72+1.01 EUR
94+0.77 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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FQD7P20TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 3953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.24 EUR
10+1.29 EUR
100+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.74 EUR
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FQD7P20TM fqd7p20-d.pdf
FQD7P20TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 15593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.62 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQD7P20TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 6536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.78 EUR
10+1.72 EUR
100+1.15 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQD7P20TM ONSM-S-A0003585248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD7P20TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
auf Bestellung 3828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P20TM ONSM-S-A0003585248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD7P20TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
auf Bestellung 3828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7P20TM fqd7p20-d.pdf
Hersteller: ONS/FAI
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH