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FQD7P20TM

FQD7P20TM onsemi


fqd7p20-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 13950 Stücke:

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Anzahl Preis
2500+0.77 EUR
5000+0.72 EUR
7500+0.69 EUR
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Technische Details FQD7P20TM onsemi

Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQD7P20TM FQD7P20TM Hersteller : ONSEMI FQD7P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
62+1.17 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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FQD7P20TM FQD7P20TM Hersteller : ONSEMI FQD7P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
62+1.17 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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FQD7P20TM FQD7P20TM Hersteller : onsemi / Fairchild FQD7P20_D-2313618.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
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Anzahl Preis
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10+1.49 EUR
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500+0.86 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD7P20TM FQD7P20TM Hersteller : onsemi fqd7p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 14832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.59 EUR
11+1.62 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FQD7P20TM FQD7P20TM Hersteller : ONSEMI fqd7p20-d.pdf Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD7P20TM FQD7P20TM Hersteller : ONSEMI fqd7p20-d.pdf Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD7P20TM FQD7P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqd7p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD7P20TM
Produktcode: 149423
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FQD7P20TM FQD7P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqd7p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD7P20TM FQD7P20TM Hersteller : ON Semiconductor fqd7p20-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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