Produkte > ONSEMI > FQD8P10TM
FQD8P10TM

FQD8P10TM onsemi

fqu8p10-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FQD8P10TM onsemi

Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FQD8P10TM nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI FQD8P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
70+1.02 EUR
80+0.9 EUR
115+0.62 EUR
135+0.53 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM FQD8P10TM ON-Semiconductor info-tfqd8p10tm.pdf P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM FQD8P10TM onsemi / Fairchild 396D93340F0AEA8FE161F0B4B1F2ABEC420FE27730287D9A07D7B46C149EE165.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 18570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM FQD8P10TM onsemi fqu8p10-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 16013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM FQD8P10TM onsemi fqu8p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 15243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.95 EUR
15+1.22 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM FQD8P10.pdf
FQD8P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
70+1.02 EUR
80+0.9 EUR
115+0.62 EUR
135+0.53 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM info-tfqd8p10tm.pdf
FQD8P10TM
Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM 396D93340F0AEA8FE161F0B4B1F2ABEC420FE27730287D9A07D7B46C149EE165.pdf
FQD8P10TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 18570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.59 EUR
10+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM fqu8p10-d.pdf
FQD8P10TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 16013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.95 EUR
10+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8P10TM fqu8p10-d.pdf
FQD8P10TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 15243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.95 EUR
15+1.22 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH