FQD8P10TM onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.48 EUR |
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Technische Details FQD8P10TM onsemi
Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 44W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FQD8P10TM nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FQD8P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.2A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1559 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQD8P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.2A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD8P10TM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V P-Channel QFET |
auf Bestellung 24005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD8P10TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD8P10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD8P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD8P10TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 44W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD8P10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQD8P10TM | Hersteller : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQD8P10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD8P10TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |