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FQD8P10TM

FQD8P10TM onsemi


fqu8p10-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:

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Technische Details FQD8P10TM onsemi

Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQD8P10TM FQD8P10TM Hersteller : ONSEMI FQD8P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
93+0.78 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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FQD8P10TM FQD8P10TM Hersteller : ONSEMI FQD8P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
93+0.78 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
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FQD8P10TM FQD8P10TM Hersteller : onsemi / Fairchild fqu8p10-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
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10+1.25 EUR
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5000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD8P10TM FQD8P10TM Hersteller : onsemi fqu8p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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11+1.64 EUR
15+1.22 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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FQD8P10TM FQD8P10TM Hersteller : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD8P10TM FQD8P10TM Hersteller : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD8P10TM Hersteller : ON-Semicoductor fqu8p10-d.pdf P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 30
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FQD8P10TM FQD8P10TM Hersteller : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD8P10TM FQD8P10TM Hersteller : ON Semiconductor fqu8p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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