FQD9N25TM-F080 onsemi / Fairchild
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Technische Details FQD9N25TM-F080 onsemi / Fairchild
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: QFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 4.7A, Pulsed drain current: 29.6A, Power dissipation: 55W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 420mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 20nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FQD9N25TM-F080
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FQD9N25TM-F080 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD9N25TM-F080 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 29.6A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 420mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQD9N25TM-F080 | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK |
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FQD9N25TM-F080 | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD9N25TM-F080 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 29.6A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 420mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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