
FQP19N20C ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2344 Stücke:
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Technische Details FQP19N20C ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQP19N20C
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQP19N20C | Hersteller : ON Semiconductor |
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FQP19N20C | Hersteller : ON Semiconductor |
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FQP19N20C | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP19N20C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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