FQP19N20C ON Semiconductor
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Technische Details FQP19N20C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQP19N20C - MOSFET, N-KANAL, 200V, 19A, TO-220-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FQP19N20C
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| FQP19N20C | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQP19N20C - MOSFET, N-KANAL, 200V, 19A, TO-220-3tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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FQP19N20C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP19N20C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
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FQP19N20C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET |
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