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FQP32N20C

FQP32N20C ONSEMI

FQP32N20C.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 46 Stücke:
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Technische Details FQP32N20C ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 28, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 156, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 156, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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FQP32N20C FQP32N20C Hersteller : ONSEMI FQP32N20C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQP32N20C FQP32N20C Hersteller : ON Semiconductor fqpf32n20c.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP32N20C FQP32N20C Hersteller : ON Semiconductor fqpf32n20c.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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48+3.28 EUR
53+ 2.89 EUR
54+ 2.7 EUR
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FQP32N20C FQP32N20C Hersteller : ON Semiconductor fqpf32n20c.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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48+3.29 EUR
52+ 2.9 EUR
54+ 2.7 EUR
100+ 2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 48
FQP32N20C FQP32N20C Hersteller : onsemi fqpf32n20c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 106 Stücke:
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4+6.86 EUR
50+ 5.45 EUR
100+ 4.67 EUR
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FQP32N20C FQP32N20C Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF32N20C_D-2313777.pdf MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
auf Bestellung 882 Stücke:
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8+6.92 EUR
10+ 6.5 EUR
25+ 5.49 EUR
100+ 4.71 EUR
250+ 4.65 EUR
500+ 4.29 EUR
1000+ 4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FQP32N20C FQP32N20C Hersteller : ON Semiconductor fqpf32n20c.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP32N20C FQP32N20C Hersteller : ONSEMI FQPF32N20C-D.pdf Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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