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FQP33N10

FQP33N10 VBsemi

FQP33N10-D.pdf
Produktcode: 221638
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Hersteller: VBsemi
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 33 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,052 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/38
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQP33N10 FQP33N10 ON Semiconductor 3664404519292549fqp33n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 27096 Stücke:
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FQP33N10 FQP33N10 ON Semiconductor 3664404519292549fqp33n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP33N10 FQP33N10 ON Semiconductor 3664404519292549fqp33n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP33N10 FQP33N10 ON Semiconductor 3664404519292549fqp33n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP33N10 FQP33N10 ONSEMI ONSM-S-A0003584718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 175 Stücke:
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57+4.4 EUR
64+3.64 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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FQP33N10 FQP33N10 ON-Semiconductor info-tfqp33n10.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQP33N10 TFQP33n10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.03 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP33N10
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQP33N10 TFQP33n10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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