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FQP3N30

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQP3N30 FQP3N30 ON Semiconductor fqp3n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP3N30 FQP3N30 ON Semiconductor fqp3n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP3N30 FQP3N30 ONSEMI ONSM-S-A0003584516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQP3N30
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
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FQP3N30 ONSM-S-A0003584516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP3N30
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Hersteller: FAIRCHIL
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