Weitere Produktangebote FQP3N30 nach Preis ab 0.57 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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FQP3N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP3N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP3N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 28200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP3N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP3N30 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQP3N30 | Hersteller : FAIRCHIL |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQP3N30 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP3N30 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 300V N-Channel QFET |
Produkt ist nicht verfügbar |