Produkte > ONSEMI > FQP6N80C
FQP6N80C

FQP6N80C onsemi

fqpf6n80c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.73 EUR
50+2.15 EUR
100+2.11 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FQP6N80C onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FQP6N80C nach Preis ab 1.67 EUR bis 3.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : ON Semiconductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N80C Hersteller : ON-Semiconductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N80C Hersteller : ONSEMI fqpf6n80c-d.pdf FQP6N80C THT N channel transistors
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.69 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
250+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N80C
Produktcode: 129953
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

fqpf6n80c-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : onsemi / Fairchild EA25B2224457E7464757857084BED07B936EA551403A7BE8D2BF9BB197627E4B.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : onsemi EA25B2224457E7464757857084BED07B936EA551403A7BE8D2BF9BB197627E4B.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH