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FQP6N80C

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Produktcode: 129953
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : ON-Semiconductor TFQP6n80c_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
29+2.5 EUR
33+2.19 EUR
50+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.73 EUR
50+2.15 EUR
100+2.11 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : onsemi fqpf6n80c-d.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.75 EUR
10+2.38 EUR
100+2.15 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.69 EUR
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FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQP6N80C FQP6N80C Hersteller : onsemi / Fairchild EA25B2224457E7464757857084BED07B936EA551403A7BE8D2BF9BB197627E4B.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
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